研究人员发现通过半导体材料中预先存在的缺陷产生光的新方法
由加州大学河滨分校科学家领导的一个国际研究小组，首次观察到了电子的谷之间一种新型过渡方式的光发射，这种过渡方式被称为谷间传输，其研究成果发表在《物理评论快报》期刊上。
实验中，研究团队将一系列圆形通道蚀刻到半导体材料芯片的表面，并从芯片上方将红外光投射到该结构上，这些圆形通道精确捕获特定波长的光波，然后使光波从一个环路移动到下一个环路，以形成光子系统。
当太阳光或其他光照射半导体的 PN 结时，就会在 PN 结的两边出现电压 ， 叫做光生电压。这种现象就是著名的光生伏打效应。使 PN 结短路，就会产生电流。
首先，我们看一看利用连续运动图像是否可以解释光子通过双缝所形成的干涉图样。根据粒子的连续运动图像，在双缝实验中光子每次只能穿过两条狭缝中的一条，并且不受另一条狭缝的影响。
InGaN蓝光LED的半高宽是多少
1、InGaN蓝光LED的半高宽是宽度不超过2CM，高度不超过1CM，这里留100*60CM就够了。晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。
2、LED灯带很小的，宽度不超过2CM，高度不超过1CM，这里留100*60CM就够了。发光二极管简称为LED。由含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成。
3、用GaN形成的紫外线LED1993年，当时在日本Nichia Corporation(日亚化工)工作的中村修二(Shuji Nakamura)发明了基于宽禁带半导体材料氮化稼(GaN)和铟氮化稼(InGaN)的具有商业应用价值的蓝光LED，这类LED在1990年代后期得到广泛应用。
4、蓝光 LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。
5、蓝光LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。
INGAN和GAN热膨胀系数谁大
化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局，是氮化镓的龙头。
由图2可以看出：LED光效温度系数k最好在0×10-3以下，这样由温度引起的LED光输出降低才不会很大。例如，InGaN类LED的 k值约为2×10-3，结温125℃时光输出相对结温25℃时降低约11%。
国际上通常的制造大功率LED芯片的方法有如下几种：①加大尺寸法。通过增大单体LED的有效发光面积和尺寸，促使流经TCL层的电流均匀分布，以达到预期的光通量。
最大允许功耗PFm 当流过LED的电流为IF、管压降为UF则功率消耗为P=UF×IF LED工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。
绿光波长和In组分的关系
波长与能量的关系是波长越大，光子的能量越小。这里说的波长与能量的关系，指的是光的波长与光子能量的关系。简而言之，波长越大，光子的能量越小。这是因为光子能量与光的率(常用f或v表示)成正比例关系。
绿光的中心波长：550纳米；波长范围：577~492纳米。绿光是一种非常罕见的天文现象，常在日落时发生。发生该现象需要具备很多条件，包括能见度高、海面附近没有云等。
根据百度经验相关资料显示：绿光的中心波长是550纳米，波长范围为577~492纳米。绿光波是一种光波，其中心波长在550纳米左右，位于可见光光谱的绿色部分。绿光波是由电磁波振荡产生的，其波长范围为577~492纳米，属于光波的一种。
波长进一步缩短（大约 495-570 纳米），我们感知为绿色。更短波长的光（大约 450-495 纳米）会呈现蓝色。在紫外光范围内，波长更短（大约 380-450 纳米），我们感知到紫色。
解析：可见光的波长范围在0.77～0.39微米之间。波长不同的电磁波，引起人眼的颜色感觉不同。
第三代半导体材料碳化硅发展历程及制备技术
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）——并称为第三代半导体材料的双雄。图2第三代半导体的材料特性相对于Si，SiC的优点很多：有10倍的电场强度，高3倍的热导率，宽3倍禁带宽度，高1倍的饱和漂移速度。
在材料方面，除了硅基，第三代宽禁带半导体是这几年的热门技术，我国除了在硅基方面进行追赶外，在第三代半导体方面也做了很多投入，有了不少的创新研究。
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体材料，目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。
、无压烧结 1974年美国GE公司通过在高纯度β－SiC细粉中同时加入少量的B和C，采用无压烧结工艺，于2020℃成功地获得高密度SiC陶瓷。目前，该工艺已成为制备SiC陶瓷的主要方法。
我们重点挑选碳化硅、氮化镓两种典型的第三代半导体材料来看，它们的生产制备到底还面临哪些问题。 从碳化硅来看，还需要“降低衬底生长缺陷，以及提高工艺效率” 。
先简单介绍一下，以碳化硅、氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，被称为第三代半导体产品，已被纳入国家产业 科技 创新相关发展规划，以全面突破关键核心技术，攻克“卡脖子”品种。
